STARPOWER GD600HFY120C2S
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Descripciones
Descripciones de STARPOWER GD600HFY120C2S suministradas por sus distribuidores.
晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 1KA, 150度 C, 3.409KW;
IGBT MOD, 1.2KV, 1KA, 150DEG C, 3.409KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 1kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 3.409kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2
Igbt Mod, 1.2Kv, 1Ka, 150Deg C, 3.409Kw; Continuous Collector Current:1Ka; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:3.409Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD600HFY120C2S
Alias de fabricantes
STARPOWER tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STARPOWER también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
- STARPOWER SEMICONDUCTOR
- StarPower Europe AG