STARPOWER GD30PJX65L2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
$ 32.79

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STARPOWER GD30PJX65L2S.

IHS

Datasheet13 páginasHace 7 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-14.29%

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descripciones

Descripciones de STARPOWER GD30PJX65L2S suministradas por sus distribuidores.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD30PJX65L2S IGBTモジュール
晶体管, IGBT 模块, 650V, 55A, 163W;
IGBT, PIM, 650V, 55A, MODULE; Continuous Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.45V; Power Dissipation:163W; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Solder; Collector Emitter Voltage Max:650V RoHS Compliant: Yes

Alias de fabricantes

STARPOWER tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STARPOWER también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG