STARPOWER GD300HFY120C2S
$ 106.32
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Descripciones
Descripciones de STARPOWER GD300HFY120C2S suministradas por sus distribuidores.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 444A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 600A, 150度 C, 2.941KW;
Starpower GD300HFY120C2S IGBTモジュール
IGBT MOD, 1.2KV, 600A, 150DEG C, 2.941KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 2.941kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1
Igbt Mod, 1.2Kv, 600A, 150Deg C, 2.941Kw; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:2.941Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD300HFY120C2S
Alias de fabricantes
STARPOWER tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STARPOWER también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
- STARPOWER SEMICONDUCTOR
- StarPower Europe AG
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Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals7
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current444 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.401 kW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements2
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