Sangdest Microelectronics S3M0016120B

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide...
$ 9.598
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DistributorSKUMinPkg
TME
2
S3M0016120B-SMC101
8h
AERIS3M0016120B6161
33m

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Sangdest Microelectronics S3M0016120B.

TME

Datasheet12 páginasHace 1 años

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2024-09-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Descripciones

Descripciones de Sangdest Microelectronics S3M0016120B suministradas por sus distribuidores.

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DigiKey

Alias de fabricantes

Sangdest Microelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Sangdest Microelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
  • SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing))
  • SANGDEST
  • Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co Ltd
  • SMC-Diodess
  • SANGDEST MICROELECTRONICS CO LTD
  • SANGDEST MICROELECTRONIC
  • SMC-Diodes
  • Sangdest Microelectronics (Nanjing)