Vishay SUB75N04-05L-E3
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Elcom Components | SUB75N04-05L-E3 | 243 | 12h | |||||||||
| Quest | SUB75N04-05L-E3 | 194 | 23h |
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-17
LTD Date2009-06-18
Descripciones
Descripciones de Vishay SUB75N04-05L-E3 suministradas por sus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-Channel MOSFETs 40V 75A 250W
OBSOLETE-USE SUM110N04-05H-E3
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:75A; On Resistance, Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-263 ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento