Sharp GP2S60B
$ 0.378
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 1855-1048-1-ND | 237 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | GP2S60B-SHA-0 | 8000 | 2K | 20h | ||||||||
| Future Electronics | GP2S60B | 0 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Mouser | 852-GP2S60B | 16.886 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-GP2S60B | 50.000 | 170 | 6h |
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Descripciones
Descripciones de Sharp GP2S60B suministradas por sus distribuidores.
SMT Phototransistor output Compact Reflective Photo interrupter
20mA 0.7mm SMD-4P Reflective Optical Interrupters ROHS
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin SMT
Reflective Photoelectric Switch
Photointerrupters Photointerrupter 65~130uA
Transistor Output Optocoupler, 1-Element
PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4-PIN SMD
Alias de fabricantes
Sharp tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Sharp también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- SHARP/Socle Technology
- SHARP CORP
- SHARP CORPORATION
- SHARPELEC
- SHARP ELECTRONICS
- SHARP ELECTRONICS CORP
- Sharp Integrated Circuits
- Sharp Electronics Corporation Device Division(SECD)
- SHARP ELECTRONICS(EUROPE)GMBH
- Sharp Microelectronics
- SHARP ASIA
- Sharp Electronic Components
- SHARP ELECTRONICS CORPORATION
- JEL SYSTEM CO LTD
- Sharp DAT
- Socle Technology
- Socle Technology Corporation
- SHARP Devices Europe GmbH
- SHARP/OCIC
- SHARP ELECTRONI
- SHARP Datasheet
- SHARP/Socle
- SOCLE Technology
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -69.04%
Modelos CAD
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0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Dark Current100 nA
Fall Time20 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Breakdown Voltage35 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Elements1
Output TypePhototransistor
Power Dissipation100 mW
Response Time20 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Rise Time20 µs
Sensing Distance711.2 µm
Wavelength950 nm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant