Sharp GP2S60
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Production
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2000-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Sharp GP2S60 suministradas por sus distribuidores.
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin SMT
PHOTO INTERRUPTER, REFLECTIVE, 0.5MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: SMD; Sensing Distance: 0.5mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 6V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 35V; Forward Voltage: 1.
PHOTOINTERRUPTER; No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Input Current:20mA; Output Voltage:35V; Opto Case Style:SMD; No. of Pins:4; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:35V; Continuous Collector Current Ic Max:20mA; Detecting Distance:0.5mm; External Depth:1.7mm; External Length / Height:1.1mm; External Width:3.2mm; Fall Time tf:20µs; Forward Voltage VF Max:1.4V; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Output Type:Phototransistor; Power Dissipation Pd:100mW; Power Dissipation Pd:100mW; Rise Time:20µs; Voltage Vf Typ:1.2V
Alias de fabricantes
Sharp tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Sharp también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- SHARP/Socle Technology
- SHARP CORP
- SHARP CORPORATION
- SHARPELEC
- SHARP ELECTRONICS
- SHARP ELECTRONICS CORP
- Sharp Integrated Circuits
- Sharp Electronics Corporation Device Division(SECD)
- SHARP ELECTRONICS(EUROPE)GMBH
- Sharp Microelectronics
- SHARP ASIA
- Sharp Electronic Components
- SHARP ELECTRONICS CORPORATION
- JEL SYSTEM CO LTD
- Sharp DAT
- Socle Technology
- Socle Technology Corporation
- SHARP Devices Europe GmbH
- SHARP/OCIC
- SHARP ELECTRONI
- SHARP Datasheet
- SHARP/Socle
- SOCLE Technology
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Dark Current100 nA
Fall Time20 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage35 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current20 mA
Output TypePhototransistor
Output Voltage35 V
PackagingCut Tape
Power Dissipation100 mW
Response Time20 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time20 µs
Sensing Distance500 µm
Wavelength930 nm
Dimensions
Height1.25 mm
Length3.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant