Samsung IRF820
$ 0.404
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.87%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Samsung IRF820.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1986-04-01
Descripciones
Descripciones de Samsung IRF820 suministradas por sus distribuidores.
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET in TO-220
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
Samsung tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Samsung también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- SAM
- SEC
- Samsung Semiconductor Inc
- Samsung Semiconductor
- SAMSUN
- SAMSUNG ELECTRONICS
- SAMS
- SAMSUNG LED
- SAMSUMG
- SAMSU
- SUMSUNG
- SMG
- KOREA
- SAMAUNG
- SMS
- SAMSUNG SEMI
- SAMSUNG ELECTRONICS INC
- Samsung Electronics Co Ltd
- SAMSUNG SEMICONDUCTO
- SAMSUNG ELECTRO
- SAMUNG
- SANSUNG
- Samsung Electronics (SEC)
- SMM
- SLD
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.87%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Samsung IRF820.