ROHM RZM001P02T2L
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Production
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Tendencia de 3 meses: -40.35%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de ROHM RZM001P02T2L suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VMT T/R
Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1 (Unlimited) SOT-723 Surface Mount MOSFET (Metal Oxide) P-Channel Cut Tape (CT) 3.8 Ω @ 100mA, 4.5V 100mA Ta 150°C TJ MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
MOSFET, P-CH, 20V, 0.1A, VMT; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:100mA; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
ROHM tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. ROHM también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -40.35%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-723
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance3.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance15 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation150 W
Rds On Max3.8 Ω
Turn-Off Delay Time325 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height550 µm
Fichas técnicas y documentos
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