ROHM RGT30NS65DGC9

Name: ROHM RGT30NS65DGC9
Brand: ROHM
SKU: RGT30NS65DGC9

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA

$ 1.031

NRND

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST37829945	47	1		0,505	0,492	0,473	0,470	0,469	20h
Verical	3	RGT30NS65DG-C9	50	2			1,031	1,031	1,031	1,031
Arrow Electronics		RGT30NS65DGC9	50	1		0,743	0,743	0,743	0,743	0,743
DigiKey		RGT30NS65DGC9-ND	2894	1	Tube	3,860	3,860	1,773	1,347	1,289
Farnell		RGT30NS65DGC9	0	1		3,569*	2,602*	1,689*	1,430*	1,430*	1d

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IHS

Datasheet13 páginasHace 10 años

Rohm SCT

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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-12-20

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

Descripciones

Descripciones de ROHM RGT30NS65DGC9 suministradas por sus distribuidores.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA

IHS

Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 133mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube

Verical

Field Stop Trench IGBT 650V 15A LPDS

RS APAC

IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262

Easev

IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262

DigiKey

IGBT, 650V, 30A, 175DEG C, 133W; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 133W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-262; No. of Pins

Farnell

IGBT, SINGLE, 650V, 30A, TO-262; Continuous Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:133W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark

Alias de fabricantes

ROHM tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. ROHM también podría ser conocido por los siguientes nombres: