ROHM HP8MA2TB1

Name: ROHM HP8MA2TB1
Brand: ROHM
SKU: HP8MA2TB1

Transistor MOSFET Array N-CH/P-CH 30V ±18A/±15A 8-Pin HSOP Emboss T/R

$ 0.89

Production

Página del fabricante Ficha técnica

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST68290011	1646	1		0,834	0,834	0,573	0,517	0,512	22h
Verical	3	HP8MA2TB1	19	4			1,111	0,944	0,807	0,707
Arrow Electronics		HP8MA2TB1	19	1		1,454	1,111	1,111	1,111	1,111
DigiKey	2	HP8MA2TB1CT-ND	1391	1	Cut Tape	2,770	1,783	1,222	0,915	0,915
TME	2	HP8MA2TB1	0	1		1,760	1,260	1,050	0,850	0,710	18h

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IHS

Datasheet21 páginasHace 9 años

Newark

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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-07-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Descripciones

Descripciones de ROHM HP8MA2TB1 suministradas por sus distribuidores.

Transistor MOSFET Array N-CH/P-CH 30V ±18A/±15A 8-Pin HSOP Emboss T/R

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.0165ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

7W 20V 2.5V 22nC@ NChannel,25nC@ PChannel N+P 30V 9.6m¦¸@ 10V @ N Channel,17.9m¦¸@ 10V @ P Channelm¦¸ 15A,18A 1.1nF@ 15V @ N Channel,1.25nF@ 15V @ P Channel SOP 1.1mm

Unikeyic (ICkey)

MOSFET, N& P-CH, 30V, HSOP; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 7W; Transistor Case Style: HSOP; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Farnell

Imágenes

element14 APAC

Alias de fabricantes

ROHM tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. ROHM también podría ser conocido por los siguientes nombres: