ROHM DTDG14GPT100

Name: ROHM DTDG14GPT100
Brand: ROHM
SKU: DTDG14GPT100

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

$ 0.191

NRND

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

Distribuidores autorizados

Distribuidores no autorizados

Vendedores no autorizados

Ver todas las estructuras de precios

Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST73460545	984	1		0,256	0,256	0,219	0,163	0,158	14h
Verical	2	DTDG14GPT100	6400	100				0,278	0,278	0,278
Arrow Electronics		DTDG14GPT100	3	1		0,127	0,127	0,127	0,127	0,127
DigiKey	3	DTDG14GPT100CT-ND	5240	1	Cut Tape	0,930	0,580	0,376	0,288	0,288
TME	2	DTDG14GPT100	0	1		0,589*	0,365*	0,276*	0,224*	0,200*	9h

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses: -4.36%

Modelos CAD

Descargar símbolo, footprint y 3D STEP

Componentes alternativos

0 piezas disponibles

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para ROHM DTDG14GPT100.

IHS

Datasheet8 páginasHace 10 años

_legacy Avnet

Farnell

DigiKey

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:

-4.36%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de ROHM DTDG14GPT100 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGEN	eCAD	mCAD	ARCHIVOS
Component Search Engine	SímboloFootprint	3D	Descargar
Ultra Librarian	SímboloFootprint		Descargar

La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD

Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75

Introduction Date1995-04-01

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Componentes relacionados

ROHM2SC5053T100Q

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Detalles

onsemiNSM4002MR6T1G

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V, 45V 200mA, 500mA 300MHz, 100MHz

Detalles

onsemiSBC847CWT3G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN

Detalles

ROHM2SC5053T100R

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Detalles

NXP SemiconductorsBC846AT,115

Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 110 @ 2mA 5V 100mA 150mW 100MHz

Detalles

NXP SemiconductorsBC847AT,115

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110

Detalles

Descripciones

Descripciones de ROHM DTDG14GPT100 suministradas por sus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans Digital BJT NPN 70V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

Verical

DTDG14GP Series 60 V 1 A Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-62

Future Electronics

400mV@ 5mA,500mA NPN - Pre-Biased 2W 5V 500nA 60V 1A MPT-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm

UnikeyIC

Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:300; ft, Typ:80MHz; Case Style:SOT-89; Termination Type:SMD

SHENGYU ELECTRONICS

element14 APAC

TRANSISTOR; DIGITAL;POWER;MPT;NPN; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 1A; Base Input Resistor R1: -; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-89; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTDG14G Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 500mA; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 80MHz; Hfe Min: 300; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 500mW; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Case Style: SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 80MHz

Farnell

Imágenes

element14 APAC

Future Electronics

TME

Alias de fabricantes

ROHM tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. ROHM también podría ser conocido por los siguientes nombres:

Rohm Semiconductor
ROHM CO LTD
RHOM
ROH
RHM
ROHM ELECTRONICS
ROM
ROMH
ROHS
ROHN
ROHM SEMI
ROHM Semicon
ROHM CORPORATION
ROHM CORP
MIYA
Rohm Company Limited
ROHM CO
ROHM ELEC
ROHM Semiconductors
ROHM ELECTRO
ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
ROHM COMPANY LTD
ROHM INC
ROHM/MISC
ROHM/NONE

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

DTDG14GP T100

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses: -4.36%

Modelos CAD

Descargar símbolo, footprint y 3D STEP

Componentes alternativos

0 piezas disponibles

Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageSC

MountSurface Mount

Number of Terminals3

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage60 V

Collector Emitter Saturation Voltage400 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V

Continuous Collector Current1 A

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min300

Max Breakdown Voltage60 V

Max Collector Current1 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current1 A

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Operating Supply Voltage60 V

PackagingCut Tape

PolarityNPN

Power Dissipation2 W

TerminationSMD/SMT

Transition Frequency80 MHz

Voltage Rating (DC)60 V

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para ROHM DTDG14GPT100.

IHS

Datasheet8 páginasHace 10 años

_legacy Avnet

Farnell

DigiKey

Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant