ROHM 2SCR513P5T100
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Production
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -47.19%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Descripciones
Descripciones de ROHM 2SCR513P5T100 suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Transistor GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=50V hfe=180~450 P=2W SOT89-3
Transistor, NPN, 50V, 1A, 150DEG C, 2W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:360MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:180hFE; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Alias de fabricantes
ROHM tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. ROHM también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -47.19%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min180
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency360 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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