Optek OPB802W55Z
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Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de Optek OPB802W55Z suministradas por sus distribuidores.
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Wide Gap Opt Switch
890nm Through-Beam 9.53mm Phototransistor , 30.99mm*6.35mm*10.8mm
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 9.53mm Slot Width
Sensor Opt Slot Phototrans Modul Rohs Compliant: Yes |Tt Electronics/optek Technology OPB802W55Z
OPB802W Series 890 nm 50 mA Chassis Mount Phototransistor
Optek OPB802W55Z Slotted Optical Switch
PHOTO INTERRUPTERS - TRANSMISSIVE;
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
Fork coupler Dimensions L x W x H: 6.35 x 30.99 x 15.6 mm Gap width: 9.52 mm Operating temperature: -40...80 °C Output collector-emitter voltage: 30 V
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 9.525MM; Sensor Output:Phototransistor; Sensor Mounting:Panel / Chassis; Gap Width:9.525mm; Aperture Width:1.27mm; Forward Current If:20mA; Reverse Voltage Vr:2V; Forward Voltage:1.7V; Pr
Alias de fabricantes
Optek tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Optek también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Especificaciones técnicas
Physical
MountChassis Mount, Screw
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Output Current30 mA
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance9.525 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm