onsemi SS9018GBU
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Obsolete
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Fichas técnicas y documentos
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 SnapEDA | Footprint | 3D | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi SS9018GBU suministradas por sus distribuidores.
SS9018 Series 15 V 72 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
1.5 A, 25 V PNP Epitaxial Silicon Biplolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92
RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO-92-3
SS9018GBU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency1.1 GHz
hFE Min72
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation400 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency1.1 GHz
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento