onsemi QRE1113GR
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2001-05-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi QRE1113GR suministradas por sus distribuidores.
Photoelectric Sensors; QRE1113GR; ON SEMICONDUCTOR; Surface Mount; 940 nm; 1.87 mm; SMD/SMT
Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Min, 1mm Max, 1-Channel, Rectangular, Surface Mount
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, SMD Gull Wing, 5 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.2 Vf
onsemi Reflective photoelectric sensor, 20μs, 4needle
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Miniature SMT T/R
TVS DIODE ARRAY, 2KW, 6V, SOIC - More Details
Infrared Emitter/Sensor Assemblies Reflective Sensor
20mA 1mm SMD-4P Reflective Optical Interrupters ROHS
Reflective Photoelectric Switch
DIFFUSE PHOTOELECTRIC SENSOR, 1M
AS6081 Certified Vendor, 1 Year Warranty
4L Reflect Snsr T&R Rohs Compliant: Yes
MINI RELECTIVE OBJECT SENSOR 4-PIN SMD
SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
OPTO CPLR, PHOTOTRANSISTOR O/P, SMD-4; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: SMD; Sensing Distance: 5mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 5V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Forward Voltage: 1.2
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Weight78 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating20 mA
Dark Current1 nA
Fall Time20 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current50 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current900 µA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation75 mW
Max Supply Voltage1.6 V
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage1.2 V
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage1.7 V
Output TypePhototransistor
Output Voltage20 V
PackagingCut Tape
Power Dissipation75 mW
Response Time20 µs
Reverse Breakdown Voltage5 V
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time20 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance1 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Height1.6 mm
Length3.4 mm
Width2.9 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento