onsemi PZTA64
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 20 hours ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMJT9435-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 800 mA, 1.2 W, SOT-223, Surface Mount
onsemiNJT4030PT1G
Bipolar Transistors (BJT); NJT4030PT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 40 V; 3 A; 4
Descripciones
Descripciones de onsemi PZTA64 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
Trans Darlington PNP 30V 1.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Pnp 30V Dr Bjt Sot223 Rohs Compliant: Yes |Onsemi PZTA64
1W 1.2A 10000@10mA5V 125MHz 1.5V@100mA100Ã×A PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
PNP Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1.2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento