onsemi PZTA06
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DSS60601MZ4-13
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi PZTA06 suministradas por sus distribuidores.
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223 / Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
PZTA06 Series 80 V 1 W 0.5 A Surface Mount NPN General Purpose Amplifier-SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemi NPN Transistor, SOT-223 (SC-73), SMD, 500mA, 80V
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Npn 80V Bjt Sot223 Sngl Rohs Compliant: Yes
80V 1W 500mA 100@100mA1V 100MHz 250mV@100mA10mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating500 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.8 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento