onsemi NZT44H8
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi NZT44H8 suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
Trans GP BJT NPN 60V 8A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
10Ã×A 60V 1.5W 8A 40@4A1V 50MHz 1V@8A400mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223-4L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; DC Current Gain Min (hfe):40; Package/Case:SOT-223; C-E Breakdown Voltage:60V; DC Collector Current:8A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.63%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current8 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento