onsemi NVTR01P02LT1G
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Componentes relacionados
onsemiNTR1P02LT1G
NTR1P02LT1: Small Signal MOSFET 20V 1.3A 220 mOhm Single P-Channel SOT-23 Logic Level
Diodes Inc.DMP2160U-7
DMP2160U Series 20 V 80 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Descripciones
Descripciones de onsemi NVTR01P02LT1G suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 20 V 220 mO 3.1 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Single P-Channel Power MOSFET -20V, -1.3A, 220mΩ Small Signal MOSFET -20V -1.3A 220 mOhm Single P-Channel SOT-23 Logic Level
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -20V, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -1.3A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 400mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance225 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation400 mW
Rds On Max220 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento