onsemi NVTJD4001NT1G
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Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | NVTJD4001NT1GOSCT-ND | 680 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | NVTJD4001NT1G | 288.000 | 3K | 17h | ||||||||
| Newark | NVTJD4001NT1G | 3050 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | NVTJD4001NT1G | 9000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NVTJD4001NT1G | 9000 | 3K | Bulk |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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NTJD4001N: Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5 Ohm Dual N-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
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Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mΩ Automotive Version of the NTJS4405N
Descripciones
Descripciones de onsemi NVTJD4001NT1G suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V, 250mA, 1.5Ω Automotive Version of the NTJD4001N
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 250mA 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 272mW Surface Mount Mosfet - SOT-363
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Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)250 mA
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time82 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance33 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation272 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time23 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time94 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento