onsemi NVMFSC0D9N04C
$ 3.317
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NVMFSC0D9N04C | 6000 | 307 | 1d | ||||||||
| Newark | NVMFSC0D9N04C | 5814 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NVMFSC0D9N04C | 362 | 111 | |||||||||
| Rochester Electronics | NVMFSC0D9N04C | 2577 | 7h | |||||||||
| DigiKey | NVMFSC0D9N04COSCT-ND | 1890 | 1 | Cut Tape |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -14.03%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NVMFSC0D9N04C suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 40V, 300A, 0.92 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.
Transistor MOSFET N-CH 40V 313A 8-Pin PQFN T/R
Avnet Japan
Mosfet, N-Ch, 40V, 313A, Pqfn Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMFSC0D9N04C
N-Channel 40 V 48.9 A 4.1 W 0.87 mOhm Surface Mount Mosfet - DFN-8(5x6)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendencia de 3 meses: -14.03%
Modelos CAD
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0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)313 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance870 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation166 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.1 W
Turn-Off Delay Time220 ns
Turn-On Delay Time54 ns
Dimensions
Height950 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento