onsemi NVMFS4C01NWFT3G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-23
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
onsemiNTMFS4H01NT3G
Power Field-Effect Transistor, 334A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySIRA00DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 60A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
InfineonIRFH8303TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
onsemiFDMS8050ET30
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN / Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin Power 56 EP T/R
STMicroelectronicsSTL220N3LLH7
N-channel 30 V, 0.00081 Ohm typ., 220 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
InfineonIPB240N03S4LR9ATMA1
30V, N-Ch, 0.92 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi NVMFS4C01NWFT3G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 30V, 319A, 0.9mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
Power Field-Effect Transistor, 319A I(D), 30V, 0.00095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)319 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance950 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.144 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.84 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.84 W
Rds On Max900 µΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento