onsemi NVMFD5C674NLT1G
$ 0.972
Production
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-08-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NVMFD5C674NLT1G suministradas por sus distribuidores.
Dual N Channel Power Mosfet 60V, 42A, 14.4M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMFD5C674NLT1G
Dual N−Channel Power MOSFET 60V, 42A, 14.4mΩ
NVMFD5C674NL Series 60 V 42 A 14.4 mOhm N-Channel Dual Power Mosfet - DFN8
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.0204ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Array Dual N-CH 60V 42A 8-Pin DFN T/R
Avnet Japan
onsemi NMOS NVMFD5C674NL, Vds=60 V, 42 A, DFN, , 8
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0117ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance20.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18.6 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento