onsemi NVMFD5C466NLT1G
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Production
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Tendencia de 3 meses: -0.74%
Modelos CAD
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NVMFD5C466NLT1G suministradas por sus distribuidores.
NVMFD5C466NLT1G Dual N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V NVMFD5C466NL, 8-Pin DFN ON Semiconductor
Dual N Channel Power Mosfet 40V, 52A, 7.4M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMFD5C466NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 14A (Ta), 52A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 52A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V; Power Dissipation Pd: 40W; Transistor Case Style: DFN; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.74%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance12.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento