onsemi NVD5C688NLT4G
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NVD5C688NLT4G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 17A, 27.4mΩ DPAK 2500 tape and reel
Transistor MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin TO-252 T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Compliant 2.51 mm Production (Last Updated: 2 years ago) 2.9 W 1 8 ns 11 ns
onsemi NMOS NVD5C688NL-D, Vds=60 V, 17 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0228ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.1V; Power Dissipation Pd: 18W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation18 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.9 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.51 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento