onsemi NVD5802NT4G
$ 1.85
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | NVD5802NT4G | 2813 | 6d | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | NVD5802NT4G | 0 | 1 | Bulk | 6h | |||||||
| Avnet | NVD5802NT4G | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| Farnell | NVD5802NT4G. | 0 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-NVD5802NT4G | 15.500 | 55 | 15h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NVD5802NT4G.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi NVD5802NT4G desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia, Vietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
onsemiNVD5890NLT4G
Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK, Logic Level. T4G
onsemiNVD5890NT4G
4W(Ta),107W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1N 40V 3.7m¦¸@ 50A,10V 24A,123A 4.76nF@25V TO-252
STMicroelectronicsSTD120N4F6
N-channel 40 V, 3.5 mOhm, 80 A STripFET F6 Power MOSFET in DPAK package
InfineonAUIRFR4104TRL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
International RectifierAUIRLR3114ZTRL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Descripciones
Descripciones de onsemi NVD5802NT4G suministradas por sus distribuidores.
NVD5802NT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 78 A, 40 V, 3-PIN DPAK
Power MOSFET 40V, 101A, 4.4 mOhm, Single N-Channel, DPAK. Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 101A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252 |Onsemi NVD5802NT4G
16.4 A 40 V 0.0078 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
2.5W(Ta),93.75W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1N 40V 4.4m¦¸@ 50A,10V 16.4A,101A 5.3nF@12V TO-252
Power Field-Effect Transistor, 16.4A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
NVD5802NT4G, NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
RS APAC
16.4A, 40V, 0.0078OHM, N-CHANNE
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 101A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.4 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93.75 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max4.4 mΩ
Rise Time52 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.22 mm
Width6.73 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NVD5802NT4G.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento