onsemi NVD3055-150T4G-VF01
$ 0.54
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -29.27%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Modelos CAD
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NVD3055-150T4G-VF01 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 60V, 9A, 150 mOhm, Single N-Channel, DPAK.
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK / N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Surface Mount DPAK
Transistor MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin DPAK T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Mosfet 60V, 9A, 150 Mohm, Single N-Channel, Dpak./ Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVD3055-150T4G-VF01
MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 9A, 175度 C, 28.8W;
MOSFET'S - SINGLE MOSFET'S TRANSISTORS;
IC OPAMP CURR SENSE 14KHZ 10UQFN
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -29.27%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation28.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation28.8 W
Turn-Off Delay Time12.2 ns
Turn-On Delay Time11.2 ns
Dimensions
Height2.51 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento