onsemi NVB072N65S3
$ 4.1
Production
Precio y existencias
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -8.05%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NVB072N65S3 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V , 44 A, 72 mΩ, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Compliant 5.08 mm D2PAK Production (Last Updated: 2 years ago) 312 W 1 26.3 ns
N-Channel 650 V 44 A 312 W Surface Mount Power Mosfet - D²PAK-3 (TO-263-3)
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 650V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, AECQ101, N-CH, 650V, 44A, 312W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 44A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -8.05%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation312 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65.9 ns
Turn-On Delay Time26.3 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento