onsemi NTS4409NT1G
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Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC70 Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC-70
Descripciones
Descripciones de onsemi NTS4409NT1G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 25V, 750mA, 350mΩ
NTS4409NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.7 A, 25 V, 3-PIN SOT-23
onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=25 V, 700 mA, SOT-23encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 / Trans MOSFET N-CH 25V 0.7A 3-Pin SC-70 T/R
N-Channel 25 V 249 mOhm 280 mW Surface Mount Small Signal MOSFET - SOT-323
MOSFET, N, 25V, SOT-323; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 750mA; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 350mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5V; Power
Diodes - Rectifiers - Single Schottky Tape & Reel (TR) 1 (Unlimited) SOD-123F Surface Mount Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 610mV @ 2A 150°C Max 50μA @ 60V DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Current Rating700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance60 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation280 mW
Rds On Max350 mΩ
Resistance249 MΩ
Rise Time8.2 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage650 mV
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento