onsemi NTP65N02RG
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Este componente
Componentes alternativos
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Stock
716,279
809,534
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
7.6 A
7.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
10.5 mΩ
10.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
62.5 W
62.5 W
Input Capacitance
1.33 nF
1.33 nF
Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-12-19
LTD Date2010-06-19
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi NTP65N02RG suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 24V, 65 A, N-Channel D2PAK, & TO-220
Trans MOSFET N-CH 25V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
MOSFETs- Power and Small Signal 24V 65A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 25V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Current Rating65 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation62.5 W
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time53 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)24 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento