onsemi NTP6411ANG
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2014-10-05
LTD Date2015-04-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIRF100B202
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi NTP6411ANG suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 100V 77A 14 mOhm Single N-Channel TO-220
NTP6411ANG N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 77 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
100 V, 72 A, 14 MILLI OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0127ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:188W ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)72 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time157 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation217 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation217 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time144 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time107 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento