onsemi NTMSD6N303R2
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-02-11
LTD Date2009-08-11
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishaySI4214DY-T1-GE3
Si4214DY Series Dual N-Channel 30 V 0.0235 Ohm 3.1 W Power Mosfet - SO-8
VishaySI4485DY-T1-GE3
Single P-Channel 30 V 0.042 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7201TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMSD6N303R2 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 30V 6A 32 mOhm Dual N-Channel SO-8 FETKY
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 6A N-Channel No-Cancel/No-Return
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts N-Channel SO-8 FETKY
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 32mΩ@ 6A,10V 6A 950pF@24V SOIC-8 SMD mount 5mm*4mm*1.5mm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance950 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2 W
Rds On Max32 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento