onsemi NTMS4802NR2G
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2013-01-11
LTD Date2013-07-11
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
InfineonIRF7862PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 21A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMS4802NR2G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 18A, 4mΩ
N-Channel 30 V 2.1 mOhm 1.7 W Surface Mount Power Mosfet - SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Power MOSFET 30 V 18 A N Channel SOIC8
910mW(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 36nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 4mΩ@ 18A,10V 11.1A 5.3nF@25V SOIC-8 SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 11.1A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.66 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 MΩ
Rise Time42 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento