onsemi NTMFS5C430NT1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMFS5C430NT1G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 185A, 1.7mΩ Power MOSFET 40V, 185A, 1.7 mOhm, Single N-Channel standard gate
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN / N-Channel 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 3.8W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
onsemi NChannel EnhancedMOSTube NTMFS5C430Nseries, Vds=40 V, 185 A, DFNencapsulation, surface mount, 4 + TabPin
MOSFET, N-CH, 40V, 185A, DFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 185A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V; Power Dissipation Pd: 106W; Transistor Case Style: DFN; No. of Pins: 5Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)185 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation106 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento