onsemi NTMFS4C09NT1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiNTMFS4841NT1G
Mosfet Transistor, N Channel, 57 A, 30 V, 4.7 Mohm, 11.5 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes
onsemiNTMFS4925NT3G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 5.6mΩ Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMFS4C09NT1G suministradas por sus distribuidores.
NTMFS4C09NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 52 A, 30 V, 8-PIN SO-8FL
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R / MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mΩ
760mW(Ta)，25.5W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 10.9nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 5.8mΩ@ 30A,10V 9A 1.252nF@15V SO SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
N CHANNEL MOSFET, 30V, DFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -5.61%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.252 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max5.8 mΩ
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length6.1 mm
Width5.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento