onsemi NTMFS4836NT1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-03-31
LTD Date2012-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRFH7932TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMFS4836NT1G suministradas por sus distribuidores.
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11A Ta 90A Tc 90A 2.25W 12ns
Power MOSFET 30V 90A 4 mOhm Single N-Channel SO-8FL
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 90A 4MOHM
Power MOSFET 30 V 90 A Single N-Channel SO-8 FL
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
+12 V Telecom Power Conversion Solutions
NTMFS4836NT1G, SINGLE MOSFETS;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.677 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation2.25 W
Rds On Max4 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento