onsemi NTMD6P02R2G

P-Channel 20 V 33 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
$ 0.561
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTMD6P02R2G.

IHS

Datasheet9 páginasHace 7 años

Upverter

Master Electronics

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-18.59%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi NTMD6P02R2G desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Componentes relacionados

InfineonIRF7331PBF
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Dual N-Channel MOSFET
onsemiFDS6898A
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14mΩ
onsemiFDS6898AZ
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14mΩ
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
InfineonIRF7311PBF
Dual N-Channel 20 V 0.029 Ohm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS9934C
Dual N & P-Channel 20 V 30 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOIC-8

Descripciones

Descripciones de onsemi NTMD6P02R2G suministradas por sus distribuidores.

P-Channel 20 V 33 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
Dual P-Channel Power MOSFET -20V -6A 33mΩ
NTMD6P02: Power MOSFET 20V 7.8A 33 mOhm Dual P-Channel SO-8
MOSFET, P, 20V, SOIC-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -7.8A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -880mV; Power
P Channel Mosfet, -20V, Soic; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-7.8A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-20V; Resistencia De Activación Rds(On):0.027Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V |Onsemi NTMD6P02R2G

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • NTMD6P02R2G.