onsemi NTLJD3119CTBG
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMN2A01FTA
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi NTLJD3119CTBG suministradas por sus distribuidores.
NTLJD3119CTBG DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-PIN WDFN
N & P Channel 20 V 65 mOhm 710 mW Surface Mount Power MOSFET - WDFN6
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R / MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual N/p Channel Mosfet, 20V, Wdfn6, Full Reel; Transistor Polarity:n And P Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(On):0.037Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -5.39%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance271 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs700 mV
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation710 mW
Rds On Max65 mΩ
Rise Time13.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time13.7 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento