onsemi NTJD4158CT1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishaySI1902DL-T1-GE3
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
InfineonBSD235NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.95A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
onsemiNVJD4401NT1G
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.91A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonBSD840NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.88A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1
Descripciones
Descripciones de onsemi NTJD4158CT1G suministradas por sus distribuidores.
NTJD4158C: Small Signal MOSFET 30V 880mA 260 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R / MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
Dual N & P-Channel 30/20V 1.5mOhm 270 mW Small Signal MOSFET SOT-363
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
PFET SC88 20V .88A 1OHM; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 250mA; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1.2V; Power
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SC-88; Channel Type:Complementary N and P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:250mA; No. of Pins:6Pins RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)250 mA
Current Rating250 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Element ConfigurationDual
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance33 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation270 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation270 mW
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Rise Time6.5 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time13.5 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento