onsemi NTH4L045N065SC1
$ 6.826
Production
Precio y existencias
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Tendencia de 3 meses: +0.14%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-03-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NTH4L045N065SC1 suministradas por sus distribuidores.
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 650V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
650V 55A 33m´Î@18V25A 187W 2.8V@8mA 14pF@325V N Channel 1.87nF@325V 105nC@-5~18V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4L MOSFETs ROHS
Sic Mosfet, N-Ch, 18V, 55A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:187W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L045N065SC1
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.14%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation187 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento