onsemi NTD78N03-35G
Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-06-30
LTD Date2009-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiNTD4857N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 78A Tc 14.6A 2.1W 3.6ns
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD78N03-35G suministradas por sus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
Power MOSFET 25V 78A 6 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 14.8A 3-Pin (3+Tab) IPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 25V 78A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
MOSFET, N, 25V, I-PAK; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:25V; Current, Id cont:78A; Resistance, Rds on:0.006R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:1.6V; Case style:I-PAK; Power, Pd:64W; Transistor RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Current Rating78 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.25 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation64 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max6 mΩ
Rise Time68 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento