onsemi NTD5807NT4G
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Cadena de suministros
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Componentes relacionados
onsemiNVD5807NT4G
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 23A, 31mΩ Power MOSFET 40V 23A 31 mOhm Single N-Channel DPAK
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD18NF03L
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
InfineonAUIRLR2703TRL
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK / N-Channel 30 V 20A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD5807NT4G suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 40V 23A 31 mOhm Single N-Channel DPAK
NTD5807NT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 40 V, 3-PIN DPAK
The NTD58xxN series are 40V Trench N-Channel power MOSFET ideal for use in Automotive LCD Backlight LED drivers and power supply secondaries where RDS(on) performance and industry standard packaging are important.
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:23A; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:33W ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance31 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance603 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation33 W
Rds On Max31 mΩ
Rise Time20.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15.6 ns
Turn-On Delay Time11.2 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento