onsemi NTD5414NT4G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2013-01-11
LTD Date2013-07-11
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD5414NT4G suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 60V 24A 37 mOhm Single N−Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:24A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):37mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3.2V; Power Dissipation, Pd:55W ;RoHS Compliant: Yes
The NTD/NTB/NTP54xxN series are advanced planar 60V N-Channel power MOSFET ideal for use in DC motor drives LED drivers power supplies converters pulse width modulation (PWM) controls and bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are crucial and benefit from an additional safety margin against unexpected voltage transients that these devices provide.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance37 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation55 W
Rds On Max37 mΩ
Rise Time58 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento