onsemi NTD4965N-1G
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiNTD4806NA-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 14A 2.14W 4.7ns
onsemiNTD4809N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 58A 2W 2.8ns
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4965N-1G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 68A, 4.7mΩ, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE
Trans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK
NFET DPAK 30V 64A 4.7MOHM
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38.5 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time34.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18.9 ns
Turn-On Delay Time12.1 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento