onsemi NTD4809NA-1G
$ 0.099
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTD4809NA-1G.
Componentes relacionados
onsemiNTD4808N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 63A 2W 5.6ns
onsemiNTD4806NA-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 14A 2.14W 4.7ns
onsemiNTD70N03R-001
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 32A 1.87W 1.3ns
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4809NA-1G suministradas por sus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 2.3ns
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 58A 9MOHM
Trans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.456 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time22.7 ns
Turn-Off Delay Time25.3 ns
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTD4809NA-1G.