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Componentes relacionados
onsemiNTD4805N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.7A Ta 95A Tc 95A 2.24W 8ns
onsemiNTD110N02R-001
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Ta 98A Tc 17.7A 2.24W 4.35ns
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4804NA-1G suministradas por sus distribuidores.
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 117A 4MOHM
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:117A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:93.75W ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.49 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.43 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
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