onsemi NST65010MW6T1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | NST65010MW6T1G | 1 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | NST65010MW6T1G | 9 | 1 | |||||||||
| DigiKey | NST65010MW6T1GOSCT-ND | 1064 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NST65010MW6T1G | 0 | 3K | Bulk | ||||||||
| Future Electronics | NST65010MW6T1G | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Cadena de suministros
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onsemiNSVT65010MW6T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi NST65010MW6T1G suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88 / Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
65V 380mW 220@2mA,5V 100mA 2PCSPNP(Dual) SOT-323-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANS, DUAL PNP, -65V, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:0.9hFE; Transistor Case Style:SOT-363;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento