onsemi NSS40201LT1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
ROHMBC817-25T116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi NSS40201LT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); NSS40201LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 40 V; 2 A
Bipolar Transistor, Npn, 40V Sot-23; Tra |Onsemi NSS40201LT1G
NSS Series 40 V 2 A Surface Mount Low Vce NPN Transistor - SOT-23
40V 460mW 200@500mA,2V 2A NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
TRANS NPN 40V 2A SOT-23 / Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Low VCE(sat) Transistor, NPN, 40 V, 2.0 A
onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current2 A, maximum collector-emission voltage40 V
TRANS, BIPOL, NPN, 40V, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 540mW; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 370hFE; Transistor
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage115 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation540 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento