¡El modo oscuro ya está disponible! Alterna entre los modos claro y oscuro. La preferencia se guarda al iniciar sesión.

Más información

onsemi NDB6030PL

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -30A, 42mΩ
$ 1.074
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NDB6030PL.

IHS

Datasheet0 páginasHace 0 años
Datasheet4 páginasHace 0 años

Newark

onsemi

Fairchild Semiconductor

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-24.72%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi NDB6030PL desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

Componentes relacionados

InfineonIRL3303SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.026Ohm;ID 38A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-16V;-55d
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
InfineonIRL3103SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Single N-Channel 100 V 77 mOhms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
STMicroelectronicsSTB70NF3LLT4
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STMicroelectronicsSTB55NF03LT4
N-Channel 30V - 0.01 Ohm - 55A - D2PAK STripFET(TM) II POWER MOSFET

Descripciones

Descripciones de onsemi NDB6030PL suministradas por sus distribuidores.

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -30A, 42mΩ
Trans MOSFET P-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity:p Channel; Continuous Drain Current Id:-30A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(On):0.037Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.4V; Power Dissipation Pd:75W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes
These P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters and high efficiency switching circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • NDB6030PL.